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2018-06-19 08:33 来源:大河网

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发布时间:2018/3/1 14:56:22 来源:网络 作者:FG
我的异常网 在他看来,城镇化的持续推进、城市更新和人民日益增长的美好生活需求是房地产发展的三大基本因素。

  不久前,高通宣布未来集成5G基带的骁龙芯片将基于三星的7nm制造,具体来说是7nm LPP,使用EUV(极紫外)技术。

  紧接着,三星就在华诚破土动工了一座新的7nm EUV工艺制造工厂,2020年之前要投产。

  看似风风火火,但其实7nm EUV依然面临着不少技术难题。

  据EETimes披露,在最近的芯片制造商会议上,有厂商就做了犀利地说明。

 

  比如,GlobalFoundries研究副总裁George Gomba就表示,唯一有能力做250瓦EUV光刻机的ASML(阿斯麦)提供的现款产品NXE-3400仍不能满足标准,他们建议供应商好好检查EUV光罩系统,以及改进光刻胶。

  这里对光刻做一下简单科普。

  光刻就是将构成芯片的图案蚀刻到硅晶圆上过程。晶圆上涂有称为光刻胶的光敏材料,然后将该晶圆暴露在通过掩模照射的明亮光线下。掩模掩盖的区域将保留其光刻胶层,而直接暴露于紫外线的那些会脱落。

  接着使用等离子体或酸蚀刻晶片(浸式)。在蚀刻过程中,被光刻胶中覆盖的晶片部分得到保护,可保留氧化硅; 其他被蚀刻掉。

  显然,光线波长小的话可以创造更精细的细节,比如更窄的电路、更小的晶体管。不过在当下14nm的制造中并没有使用,而是借助多重图案曝光技术(多个掩膜和曝光台)实现。

  可是步骤越多,制造时间就会越长,缺陷率也会随之提高。所以,更短的紫外线光不得不被提升上技术日程。

  芯片行业从20世纪90年代开始就考虑使用13.5nm的EUV光刻(紫外线波长范围是10~400nm)用以取代现在的193nm。EUV本身也有局限,比如容易被空气和镜片材料吸收、生成高强度的EUV也很困难。业内共识是,EUV商用的话光源功率至少250瓦,Intel还曾说,他们需要的是至少1000瓦。

  会上,三星/台积电的研究人员透露,在NXE-3400下光刻有两个棘手问题,或蚀刻掉的区域不足造成短路,或时刻掉的区域过量,导致撕裂。

  当下,EUV光刻机对20nm以上尺寸级别的工艺来说缺陷率是可接受的,往下的话还是难度重重。

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